Automatica și Electronica, 1982 (Anul 26, nr. 1-4)

1982-03-01 / nr. 1

ELECTROTEHNICA ELECTRONICA Șl AUTOMATICA Anul 26 Nr. 1 martie 1982 AUTOMATICA ȘI ELECTRONICA CUPRINS CZ 621.372.061. 621.311.161 CIP STANDARD PLAN DE INTERCONEXIUNI Popescu, C. ș. a. ; 'tipizarea circuitelor liniare prin sistemul MOXOCN*. E.E.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mart 1982, p. 2 Lucrarea prezintă metoda de tipizare a proiectării și integrării circuitelor liniare prin schemă electrică la comandă prin sistemul MONOCIP și rezultatele experimentale obținute în asimilarea sistemului. CZ 621.3.012.8 CIRCUITE INTEGRATE MONOLITICE DISTRIBUȚII STAȚIONARE DE TEMPERATURĂ Podea, M. ș. a. : Determinarea analitică a distribuțiilor staționare de temperatură in circuitele integrate monolitice. E.E.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mai 1982, p. 8 In lucrare se prezintă soluțiile analitice care se obțin pentru distribuțiile staționare de temperatură in circuitele integrate monolitice. Modelele termice utilizate se caracterizează prin aceea că presupun medii liniare și că impun pe fața inferioară a structurii fie o temperatură constantă (modele de tip A), fie un flux de căldură proporțional cu temperatura punctului curent de pe fața inferioară (modele de tip B). Se face o comparație intre modelele de tip A și punindu-se in evidență caracteristicile specifice. Modelele de tip A constituie o contribuție originală. CZ 621.375 . 621.396.645 CIRCUITE INTEGRATE LINIARE PROIECTARE DUPĂ MODEL AMPLIFICATOR OPERAȚIONAL Marinescu, N. ș. a. : Fidelitatea față de model : proiectare ușoară dar riscantă. E.E.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mai 1982, p. 13 în lucrare se demonstrează că o atitudine critică și curajoasă în etapa proiectării după model deschide o cale sigură pentru elaborarea proiectelor originale. CZ 621.391.8 SISTEME MULTIMICROPROCESOR MEMORIE DUBLUPORT Niculescu, M., Statovici, M., Voicu, C. : Memorie cvasistatică dubluport pentru sisteme multimicroprocesor. E.B.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mai 1982, p. 19 Pentru creșterea eficienței sistemelor multimicroprocesor a fost implementată o memorie dublu port de lk x 8 cu memorii dinamice de tip 1027. Schema de control asigură o împrospătare întrețesută cu cererile de apel și folosește o serie de tehnici avansate care permit exploatarea vitezei maxime de lucru a ambelor microprocesoare ale unui sistem de testare a tranzistoarelor MOS. Ele„simt” practic o memorie statică cu avantajele memoriilor dinamice. Rata de transmisie este de circa patru ori mai mare decît in cazul unor scheme clasice. Memoria poate fi împărțită dinamic intre cele două microprocesoare, în timpul lucrului, funcție de solicitări. CZ 621.314.7.621.316 TRANZISTOR MOS DESCĂRCARE ELECTROSTATICĂ CIRCUIT DE PROTECȚIE Veron, A., Cioacă, D. : Modelarea regimului tranzitoriu pentru protecția pe poartă în circuitele MOS. E.E.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mai 1982, p. 22 Este prezentat un model nou pentru circustaji ’din protecție, care descrie funcționarea cu prag a acestora$1U în varianta cu constante concentrate, ci mai ales în cea cu constante distribuite. Folosind aproximații justinii'McVdmȚ ppinc de vedere fizic, ecuațiile liniilor sunt rezolvati aie [UNK]Otjc. (letrinarația intre diferitele tipuri de protecție șiWuidrul «îupenței parametrilor geometrici asupra fiecăruia оП [UNK] [UNK]: ppsi>infinit..a unor concluzii de proiectare și organizare. CZ 621.384.4. 535.247 FOTOREZIST POZITIV EXPUNERE ÎN ULTRAVIOLET RĂSPUNS OPTIC Pavelescu, I. : Procedeu pentru evaluarea răspunsului optic la expunerea în ultraviolet a fotoreziștilor pozitivi. E.E.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mai 1982, p. 26 în lucrarea de față se propune un experiment simplificat de caracterizare a fotoreziștilor pozitivi in condiții de expunere policromatică care se bazează pe capabilitatea cunoscută a fotoreziștilor pozitivi de expunere multiplă. CZ 621.793 METALIZARE CU ALUMINIU BARIERĂ STRESS ELECTRIC ȘI TERMIC Dan, P. Al. ș. a. . .Modificări ale structurii și proprietăților contactelor Al/Si prin tratament termic și funcționare la curenți și temperaturi mari. E.E.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mai 1982, p. 31 în lucrare se pun in evidență diferențe importante privind structura și comportarea electrică a structurilor Al/Sin realizate prin două metode de depunere. Se arată, de asemenea, modificările suferite de aceste structuri in urma stressului electric și termic. CZ 535.7 SENZOR OPTIC MĂSURAREA STRUCTURILOR Silard, A. ș. a. : Structură de fotoelement realizată prin implantare ionică. E.E.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mai 1982, p. 37 Lucrarea prezintă structura și tehnologia de realizare prin implantare ionică a unui senzor optic. Sunt prezentate, de asemenea, rezultatele măsurătorilor efectuate asupra structurilor obținute, care evidențiază principalele caracteristici ale dispozitivului : caracteristică spectrală relativă apropiată de domeniul vizibil (maximum la 700 nm, banda 500 nm) și performanțe in regim de celulă fotovoltaică ce permit atingerea unei eficiențe de conversie de 10 — 15%. CZ 621.318.73 FILTRU ACTIV HIBRID REȚELE RC REJECTOARE PASIVE Georgescu, M., Popescu, N., Pavel, V. : Filtru activ hibrid cu rejecție de bandă realizat pe bază de rețeauă peliculară cu constante distribuite. E.E.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mai 1982, p. 41 Se prezintă un nou tip de filtru activ hibrid cu rejecție de bandă, realizat cu o structură RC cu constante distribuite constînd din straturi subțiri succesive de A1/A1203—SiO/NiCr. C7 621.867.2 INVERSIA COLECTORULUI PLAGA PURPURIE Drăgan, M. ș. a. : Mecanisme de defectare la tranzistoarele bipolare E.E.A. — Automatica și electronica 26, nr. 1, mai 1982, p. 45 S-a studiat fiabilitatea tranzistoarelor PNP de mică putere și a tranzistoarelor NPN de medie putere și curent mare. Măsurători complete ale parametrilor electrici au fost corelate cu analiza microfizică a structurilor prin metoda microscopiei electronice, a baleiajului lasser Ste-Ne și a interferometriei holografice. S-au pus în evidență mecanisme de defectare specifice fiecărei clase de dispozitive. Lucrarea propune soluții de îmbunătățire a fiabilității tranzistoarelor bipolare cu siliciu.