Automatica și Electronica, 1987 (Anul 31, nr. 1-4)

1987-03-01 / nr. 1

С « Д Е I* Ж Л И И Е Редакционный Список премированных в рамках ГСП работ в (986 г. (Годового Совещания по Полупроводникам) УДК G2l.396.e4: 621.313.584.« ( )[IEPÂI (ИОННЫП У(ПИЛИТЕ. I Ь ТЕРМ ИЧЕСКИЙ ДРЕЙФ ШУМ Георгиу, К. и др.: КПВ 07 — Операционный усили­тель о высокими характеристиками. Е.Е.А. — Automaticii ții electronica 31, nr. I, март 1987 г., СТр. 7 Представляются специфические виды прокетирова­­нпя и технологического изготовления интегральной микросхемы типа НОВ 07, операционного усили­теля с высокими характеристиками. Прибор имеет улучшенную электрическую схему и для полу гения результатов точности были использованы современные техники проектирования • УДК 658.56: 621.315.6i6: 536.4 НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОВЫШЕННАЯ ТЕМИЕГА'П РА Быау, М. и др.: Надежность полупроводниковых эле­ментов к первых часах работы мри новы шейной тем­пературе. Е.Е.А. Automatica și electronica 31, nr. I. март 1987 г., стр. 10 Изучеаетсн надежность полупроводниковых элемен­тов в первых 4 часах работы при температуре окру­жающей среды ф- 150»С. Представлены эксперимен­тальные результаты, полученные для 2 типов элемен­тов: I биполярный транзистор и I МОП униполярный транзистор. Приведены кривые проектировано надеж­ности в зависимости от загрузки,* которые явля­ются полезными для улучшения надежности приборов (оборудования, используя элементы при смещениях меньше чем нормальные. УДК 621.385.2: 539.13 ЛАВЕРНЫЕ ДИОДЫ БОЛЬШАЯ ОПТИЧЕСКАЯ ПОЛОСТЬ (БОН) СПЕКТРАЛЬНЫЙ ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ АНАЛИВ Петресну-Пpaxotta, II. Б. и др.: Спектральный про­странственный анализ излучении мощных лазерных диодов со структурой ВОН. Е.Е.А. — Automatica și electronica 31. nr. 1, март 1987. г., стр. 13 Обсуждалось спектрально-пространственное рас­пределение излучении лазерных диодов со структурой БОН. Таким образом, можно отождеетавлять вклад разных поперечных способов при общем угловом рас­пределении. УКК 621.51:621.311.22 СЕНЗОРБ1 ГАЗОВ Sn03 КАТАЛИЗАТОР — Pd Бырспи, II. и др.: Влияние легирующих материалов на ответ еенворов тина «пО, Е.Е.А. — Automatica și electronica 31. nr. 1, март 1987 г., стр. 1G Работа представляет полученные результаты добав­кой Pd в качестве катализатора в Sn02. Эксперимен­тальные /результаты объяснены к рамках модели Windischmann-Mark. УДК 651.926.08: 661.6: 621.3.04 ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 11ИТЕРГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА КРЕМНИИ Рпковеону, Б.: Датчик давления, интегрированный на кремнем. Е.Е.А.- Automaticii și electronica 31, nr. 1, март 1987 г., стр. 19 В работе показано, что в развитии датчиков, одним из путей возможным дли разработки является исполь­зование в качестве основного материала — кремния, применяя, таким образом, предписанный потенциал, данный технологическими накоплениями, который ха­рактеризует производство БИС элементов. УДК 621.885.2: 621.316.7 ЦЕНТРАЛЬНАЯ ЕДИНИЦА ОПОРНЫЙ ДИОД ИСТОЧИ 11К КОМ 11 ETICA ЦП И Пппеспу, />. и др.; Метод и автоматическая система дли представлении характеристик Неверных диодов термокомпенсирокапных группы типа КО/. 82. Е.Е.А. Automatica și electronica 31, ш. I. март 1987 г., стр. 24 Работа представляет метод измерения термокемпен­­сироваиных диодов из группы типа HOZ 82, а также и автоматическую систему, управляемую микропро­цессором. . Представлены принцип метода измерения термиче­ского дрейфа, а также и составляющие части системы. УДК 681.3.06 ПЗУ ЗАПОМИНАЮЩИЕ: УСТРОЙСТВА (ЕР) У М H1 >1Й 11РО ГР AM М ATOP Top, I. и др.: Умный модуль для программирования запоминающих устройств тина ПЗУ (ЕР), Е.Е.А. Automatica și electronica 31, nr. 1. март 1987 г., стр. 26 Работа представляет способ работы умного про­грамматора для 1135' запоминающих устройств (ЕР). Модуль выполнен на одной плите, с форматом двой­­ноэрокарда, обеспечивая, таким образом, совмести­мость в одном диапазоне применений. УДК 621.3197 535.219 ОПТОПАРА элд БОКОВОЙ ФОТОТЙРПСТОР Хадмсимэ, Д. и др.: Изучение пары 3.1Д-фототиристор дли создания оптопары с высокими характеристиками. Е.Е.А. Automatica și electronica 31 nr. 1. март 19S7 г., стр. 28 Работа представляет изучение сцепления ЭЛД-фо­тотиристор для создания оптопары с высокими харак­теристиками, г Оптимизируется структура фототири­стора и способ герметизации с целью изготовления оп­топары с высокими характеристиками. Полученный прибор имеет подобные характеристики с изготовлен­ными иа мировом плане оптопарами. УДК 621.794.6 ВЛАЖНОЕ АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ ГЛИКОЛЬ Iloßapy, Б. и др.: Техники получения врожденных окисей Bals. Е.Е. А. Aiitomațlca și electronica, 31, nr. 1. март 1987 г., стр. 31 Работа представляет теоретическое и эксперимен­тальное изучение техник получения врожденных окисей GaAs способом влажного анодного окислении. УДК 621.317.7: 537.311 ЭЛЕКТРОННЫЙ ВОЛЬТМЕТР КОЭФФИЦИЕНТ ИМПУЛЬСНОГО ЗАПОЛНЕНИЯ АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИСПЫТАНИЯ Попеску, Б. и др.: Электронный вольтметр для изме­рении амплитуды импульсов е очень малым коэффи­циентом заполнения. Е.Е.А. Automatica și electronica 31, nr. 1. март 1987 г., стр. 33 Работа представляет электрическую схему прин­цип работы, а также и высокие характеристики элек­тронного вольтметра предназначенного для измерения амплитуды импульсов с очень малым коэффициентом заполнения, до 5 10"*. Прибор был разработан и создан ввиду изучения нехимнчеекнх явлений в аморфных полупроводниковых испытаниях. ()тиосителыю простая схема вольтметра способствует исключению ыдоро­гого измерительного прибора (осциллографе памятью), при помощи которого проводятся обычно измерения.

Next