Automatica și Electronica, 1987 (Anul 31, nr. 1-4)
1987-03-01 / nr. 1
С « Д Е I* Ж Л И И Е Редакционный Список премированных в рамках ГСП работ в (986 г. (Годового Совещания по Полупроводникам) УДК G2l.396.e4: 621.313.584.« ( )[IEPÂI (ИОННЫП У(ПИЛИТЕ. I Ь ТЕРМ ИЧЕСКИЙ ДРЕЙФ ШУМ Георгиу, К. и др.: КПВ 07 — Операционный усилитель о высокими характеристиками. Е.Е.А. — Automaticii ții electronica 31, nr. I, март 1987 г., СТр. 7 Представляются специфические виды прокетированпя и технологического изготовления интегральной микросхемы типа НОВ 07, операционного усилителя с высокими характеристиками. Прибор имеет улучшенную электрическую схему и для полу гения результатов точности были использованы современные техники проектирования • УДК 658.56: 621.315.6i6: 536.4 НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОВЫШЕННАЯ ТЕМИЕГА'П РА Быау, М. и др.: Надежность полупроводниковых элементов к первых часах работы мри новы шейной температуре. Е.Е.А. Automatica și electronica 31, nr. I. март 1987 г., стр. 10 Изучеаетсн надежность полупроводниковых элементов в первых 4 часах работы при температуре окружающей среды ф- 150»С. Представлены экспериментальные результаты, полученные для 2 типов элементов: I биполярный транзистор и I МОП униполярный транзистор. Приведены кривые проектировано надежности в зависимости от загрузки,* которые являются полезными для улучшения надежности приборов (оборудования, используя элементы при смещениях меньше чем нормальные. УДК 621.385.2: 539.13 ЛАВЕРНЫЕ ДИОДЫ БОЛЬШАЯ ОПТИЧЕСКАЯ ПОЛОСТЬ (БОН) СПЕКТРАЛЬНЫЙ ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ АНАЛИВ Петресну-Пpaxotta, II. Б. и др.: Спектральный пространственный анализ излучении мощных лазерных диодов со структурой ВОН. Е.Е.А. — Automatica și electronica 31. nr. 1, март 1987. г., стр. 13 Обсуждалось спектрально-пространственное распределение излучении лазерных диодов со структурой БОН. Таким образом, можно отождеетавлять вклад разных поперечных способов при общем угловом распределении. УКК 621.51:621.311.22 СЕНЗОРБ1 ГАЗОВ Sn03 КАТАЛИЗАТОР — Pd Бырспи, II. и др.: Влияние легирующих материалов на ответ еенворов тина «пО, Е.Е.А. — Automatica și electronica 31. nr. 1, март 1987 г., стр. 1G Работа представляет полученные результаты добавкой Pd в качестве катализатора в Sn02. Экспериментальные /результаты объяснены к рамках модели Windischmann-Mark. УДК 651.926.08: 661.6: 621.3.04 ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 11ИТЕРГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА КРЕМНИИ Рпковеону, Б.: Датчик давления, интегрированный на кремнем. Е.Е.А.- Automaticii și electronica 31, nr. 1, март 1987 г., стр. 19 В работе показано, что в развитии датчиков, одним из путей возможным дли разработки является использование в качестве основного материала — кремния, применяя, таким образом, предписанный потенциал, данный технологическими накоплениями, который характеризует производство БИС элементов. УДК 621.885.2: 621.316.7 ЦЕНТРАЛЬНАЯ ЕДИНИЦА ОПОРНЫЙ ДИОД ИСТОЧИ 11К КОМ 11 ETICA ЦП И Пппеспу, />. и др.; Метод и автоматическая система дли представлении характеристик Неверных диодов термокомпенсирокапных группы типа КО/. 82. Е.Е.А. Automatica și electronica 31, ш. I. март 1987 г., стр. 24 Работа представляет метод измерения термокемпенсироваиных диодов из группы типа HOZ 82, а также и автоматическую систему, управляемую микропроцессором. . Представлены принцип метода измерения термического дрейфа, а также и составляющие части системы. УДК 681.3.06 ПЗУ ЗАПОМИНАЮЩИЕ: УСТРОЙСТВА (ЕР) У М H1 >1Й 11РО ГР AM М ATOP Top, I. и др.: Умный модуль для программирования запоминающих устройств тина ПЗУ (ЕР), Е.Е.А. Automatica și electronica 31, nr. 1. март 1987 г., стр. 26 Работа представляет способ работы умного программатора для 1135' запоминающих устройств (ЕР). Модуль выполнен на одной плите, с форматом двойноэрокарда, обеспечивая, таким образом, совместимость в одном диапазоне применений. УДК 621.3197 535.219 ОПТОПАРА элд БОКОВОЙ ФОТОТЙРПСТОР Хадмсимэ, Д. и др.: Изучение пары 3.1Д-фототиристор дли создания оптопары с высокими характеристиками. Е.Е.А. Automatica și electronica 31 nr. 1. март 19S7 г., стр. 28 Работа представляет изучение сцепления ЭЛД-фототиристор для создания оптопары с высокими характеристиками, г Оптимизируется структура фототиристора и способ герметизации с целью изготовления оптопары с высокими характеристиками. Полученный прибор имеет подобные характеристики с изготовленными иа мировом плане оптопарами. УДК 621.794.6 ВЛАЖНОЕ АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ ГЛИКОЛЬ Iloßapy, Б. и др.: Техники получения врожденных окисей Bals. Е.Е. А. Aiitomațlca și electronica, 31, nr. 1. март 1987 г., стр. 31 Работа представляет теоретическое и экспериментальное изучение техник получения врожденных окисей GaAs способом влажного анодного окислении. УДК 621.317.7: 537.311 ЭЛЕКТРОННЫЙ ВОЛЬТМЕТР КОЭФФИЦИЕНТ ИМПУЛЬСНОГО ЗАПОЛНЕНИЯ АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИСПЫТАНИЯ Попеску, Б. и др.: Электронный вольтметр для измерении амплитуды импульсов е очень малым коэффициентом заполнения. Е.Е.А. Automatica și electronica 31, nr. 1. март 1987 г., стр. 33 Работа представляет электрическую схему принцип работы, а также и высокие характеристики электронного вольтметра предназначенного для измерения амплитуды импульсов с очень малым коэффициентом заполнения, до 5 10"*. Прибор был разработан и создан ввиду изучения нехимнчеекнх явлений в аморфных полупроводниковых испытаниях. ()тиосителыю простая схема вольтметра способствует исключению ыдорогого измерительного прибора (осциллографе памятью), при помощи которого проводятся обычно измерения.