Automatica și Electronica, 1988 (Anul 32, nr. 1-5)

1988-03-01 / nr. 1

ELECTROTEHNICA, AUTOMATICA Și ELECTRONICA Anul 32 Nr. 1 Martie 1988 AUTOMATICA ȘI ELECTRONICA CU 1»IN XS EDITORIAL Lista lucrărilor premiate la CAS/1987 CZ 621.38.53).13 BIOELECTRONICA ELECTRONICA MOLECULARĂ BIONICA Drăgănescu, M.: Actualitate și perspectivă In bioelectronica și electronica moleculară. E.E.A. — Automatica și electronica 32, nr. 1, martie 1988, p. 10 Electronica premoleculară (tuburi electronice, tranzistori, microelectronica, fotonica, electronica bazată pe supraconductibilite) va fi urmată de o electronică moleculară, intre acestea existind o legătură asigurată de o viziune funcțională a electronicii, prin funcțiuni convenționale și funcțiuni ale inteligenței artificiale și robotice Bioelectronica, definită drept „bionica aplicată electronicii” cuprinde domeniile biosenzorilor, biocipurilor, electronicii macromoleculare sau molecular-chimice, neurobionicii (rețele neurale) și electronicii moleculare (in două variante) examinate succint în lucrare. Se expun unele considerații privind extinderea electronicii moleculare de tip Conrad la o electronică de tip organismic. CZ 621.3.01.621.37.6 CIRCUITE INTEGRATE SPECIFICE PENTRU APLICAȚII CIRCUITE INTEGRATE SEMIPROCESATE UTILIZAREA ARIILOR DE PORȚI Olteana, D.: Circuite integrate semiprocesate, o alternativă in reducerea decalajului tehnologic din electronică. E.E.A. — Automatica si electronica 32, nr. 1, martie 1988, p. 22 Lucrarea prezintă domeniul circuitelor integrate specifice pentru aplicații (ASIC) analizînd unele aspecte ale fabricării și utilizării lor. Se evidențiază realizările și tendințele pe plan mondial in domeniu și, plecindu-se de la un exemplu concret se arată avantajele deosebite care se pot obține in realizarea sistemelor utilizind această tehnică. Lucrarea arată că prin „cablarea” direct in siliciu a unor funcții logice tot mai complexe, specifice aplicației, pe baza unei noi relații fabricant-utilizator se pot obține progrese semnificative in industria electronică românească. CZ 621.382.3.621.37.029.6.621.373.7 TRANZISTOR MODFET MODEL CUANTIC GAZ BIDIMENSIONAL Voinigescu. S.: Studiul distribuției cuantice de sarcină in tranzistoarele cu efect de cimp cu modulație de dopaj. E.E.A. — Automatica și electronica 32, nr. 1, martie 1988, p. 27 Lucrarea prezintă un model cuantic rafinat pentru calculul distribuției de sarcină în tranzistoare cu gaz bidimensional de electroni. Modelul implică rezolvarea numerică a ecuațiilor Schrödinger și Poisson și a permis, in premieră, confirmarea teoretică a distribuției experimentale de electroni in canalul unui tranzistor MODFET. Este investigată influența efectelor introduse de neparabolicitatea benzii de conducție asupra acurateții modelelor cuantice existente în literatură. CZ 621.3.016.4.621.375.4 TRANZISTOARE CU SILICIU FUNCȚIONARE LA TEMPERATURĂ RIDICA ENERGIE DE ACTIVARE Biza, M. ș.a.. Mecanisme de defectare accelerate termic și electric apărute la funcționarea componentelor semiconductoare. E.E.A. — Automatica și electronica 32, nr. 1, martie 1988, p. 31 Sunt prezentate rezultatele obținute in cadrul unui program de lucru cu care s-a evidențiat acțiunea a trei factori de stress, cei mai importanți pentru îmbătrinirea accelerată a componentelor semiconductoare: temperatura, cimpul electric și curentul electric. Se constată dependența energiei de activare de condițiile de polarizare electrică, ceea ce implică reevaluarea relației Arrhenius. CZ 620.193.7 BAZA EESTAXIALA CORODARE MESA TERMINAȚIE PLANARĂ Dunca, T. ș.a.: Tranzistoare de putere epibază cu terminație planară. E.E.A. — Automatica și electronica 32, nr. 1, martie 1988, p. 33 Lucrarea prezintă o metodă originală de realizare tehnologică a tranzistoarelor de putere in bază epitaxială. Planarizarea structurii are multiple avantaje comparativ cu variația constructivă mesa, fapt confirmat de rezultatele experimentale. CZ 535.3.621.385.2 FOTODIODA EFECTUL TEMPERATURII RĂSPUNS SPECTRAL Budianu, E. ș.a. Efectul temperaturii asupra răspunsului spectral al fotodiodelor realizate pe siliciu. E.E.A. — Automatica și electronica 32, nr. 1, martie 1988, p. 35 In lucrare se prezintă evaluarea teoretică și experimentală a influenței temperaturii asupra răspunsului spectral al fotodiodelor rapide pe siliciu. Introducerea dependenței de temperatură a coeficientului de absorbție ot(T) și a parametrilor fizici ai structurii explică modificarea in domeniul X < 0,7m a sensului de variație a răspunsului spectral determinat de «(T). CZ 538.551.621.317.3 DEFECTE GETERARE CIRCUITE INTEGRATE Veron, A. ș.a.: Tratamente de generare intrinsecă în tehnologia circuitelor integrate bipolare. E.E.A. — Automatica și electronica 32, nr. 1, martie 1988, p. 37 Tratamente de precipitare controlată a oxigenului interstițial au fost inserate in procesul tehnologic de realizare a circuitelor integrate bipolare. Distribuția defectelor cristalografice pe suprafața și in volumul plachetelor de siliciu a fost corelată cu tensiunile de străpungere ale tranzistoarelor și cu gradul de precipitare a oxigenului interstițial. S-a constatat că defectele cristalografice din stratul epitaxial pot fi practic eliminate prin inducerea efectelor de generare intrinsecă în fazele inițiale ale procesului. Metoda propusă poate îmbunătăți performanțele și randamentele de fabricație ale circuitelor integrate bipolare. CZ 577.158.513.5 OXIDARE TERMICĂ POLISILICIU CONSTANTA CREȘTERII PARABOLICE CONSTANTA CREȘTERII LINIARE Băntoiu, R. ș.a.: Cinetica de creștere a oxizilor de polisiliciu. E.E.A. — Automatica si electronica 32, nr. 1, martie 1988, p. 39 Lucrarea prezintă rezultatele unui studiu asupra cineticii de creștere a oxizilor termici pe polisiliciu, în atmosfera umedă sau uscate, in gama de temperaturi 900 ° C —1200 ° C.