Automatica și Electronica, 1989 (Anul 33, nr. 1-4)

1989-03-01 / nr. 1

CZ 654:535.2 FOTO­D­ETECTOR INTEGRAT COMUNICAȚII OPTICE Hagimă, D. ș.a. : Fotodetector de viteză pentru comunicații optice. E.E.A. — Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 30 Lucrarea prezintă modul de realizare și performanțele unui fotodetector de viteză pentru comunicații optice realizat în tehnologia de circuit integrat monolitic. Se evidențiază modul de rezolvare a problemelor apărute datorită integrării pe același cip a unui dispozitiv optoelectronic cu un ampli­ficator care trebuie să lucreze la curenți mici It (10 nA) și frecvențe ridicate (B> 10 Mz). CZ 621.3.032 DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE RAPIDE Dino­­u, Gh. : Comparație Intre difuziile de Au și de 14 pentru dispozitive semiconductoare rapide de. Înaltă tensiune și de putere. E.E.A. —Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 31 In această lucrare se prezintă un studiu comparativ intre difuziile de Au și de Pt in siliciu de tip n pentru optimizarea proceselor de fabricație a dispozitivelor semiconductoare rapide de înaltă tensiune și de putere. Rezultatele obținute sînt, in bună concordanță cu ce s-a comunicat pină acum in plus s-au obținut date care permit o mai precisă alegere a unuia dintre cei doi difuzanți Au sau Pt pentru fabricarea diodelor semiconductoare rapide de înaltă tensiune și de putere. CZ 621.3.017 .669.24 NICHEL CHIMIC DOPAT CU ВОР CONTACTARE STRUCTURI HOMETAXIALE Nedelescu, L. ș.a. . Studiul contactelor ohmice nichel (dopat cu bor) siliciu depuse chimic si tranzistoarele homotaxiale de putere. E.B.A. —Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p.­­ 33 S-a studiat un nou procedeu de contactare a structurilor homotaxiale cu nichel dopat cu bor depus chimic. S-au de­terminat experimental parametrii optimi ai băii de nichelare chimică utilizată. Stratul de nichel depus a fost studiat din punct de vedere al componenței chimice (prin d fracție de raze X) și parametrilor fizici. S-a realizat o comparație din punct de vedere al parametrilor electrici intre tranzistoare realizate cu nichel dopat cu fosfor și nichel dopat cu bor. Tranzistoarele obținute prin noul procedeu au caracteristici tehnice superioare. CZ 537.12 .681.6 ELECTRONOREZI­ST P M M­A MICROLITO­GRAF­IE Nicolau, D. ș.a.. Experimentări cu un electronorezist pre­parat Щ—HOUSE. E.E.A.— Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 35 Sinteza polimetactilatului de metil (PMMA), a permis studiul dependenței sensibilității și rezoluției acestuia, pentru microlitografia cu fascicul de electroni, de caracteristicile polimerului. Pe această bază, s-au produs ,,in-house” două tipuri de electronorezist : tip I pentru microlitografie de înaltă rezoluție pe măști și plachete de siliciu, (sensibilitate 80 pC/cm­2, rezoluție maximă 0,2 jx), și tip II pentru micro­­litografia de sensibilitate crescută pe veticule (sensibilitate 60­0 xC/cm2, rezoluție maximă 1 jxm). CZ 65.018.538.5 ORIGINAL MONOCIP EFICIENȚA Șerbănescu, D. ș.a. : Circuit integrat triplu driver ROB 8088 — pentru comanda și protecția tranzitoarelor I’M’ de putere. D.Е.Л. — Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 38 Lucrarea prezintă o schemă electrică originală de circuit integrat pentru comanda și protecția tranzistoarelor PNP de putere. Circuitul este realizat în tehnică MONOCIP și asigură o densitate maximă de cablare la beneficiar. CZ 538.5.001.12 PLASARE ASIGURARE LINIARĂ A­SIGURARE PĂTRAT­IGA Bălașa, ș.a. : Program de plasare inițială constructivă des­tinat circuitelor integrate semiprocesate. E.E.A. — Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 40 Lucrarea prezintă un algoritm de plasare a unui set de module interconectate intr-o mulțime locații admisibile pe o arie dată. Algoritmul este structurat în două faze distincte : o poziționare relativă a modulelor, ignorind locațiile admi­sibile, urmată de o asigurare optimă, astfel incit distorsionarea poziționării relative să fie minimă. CZ 621.357.7.621.3.017 I.PCVD SURSE LICHIDE slădilă, M. ș.a. : Echipament de depuneri chimice din faza de vapori la joasă presiune (I.I.CVD) utilizing surse lichide. Е.Е.Л. —Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 41 Lucrarea prezintă un echipament de depuneri chimice din fază de vapori la joasă presiune (LPGVD) utilizind surse lichide pentru depuneri de straturi subțiri dielectrice sau conductive cu aplicații in microelectronică, realizat in CCSIT­CE. COMITETUL DE REDACȚIE Prof. dr. ing. C. APETREI ; dr. ing. I. BATRÎNA ; dr. ing. V. BÜNEA ; prof. dr. ing. V. CÄTUNEANU : ing. V. CEO­­CF.ONICA ; prof. dr. doc. șt. teil. ing. V. CORLAȚEANU ; prof, dr. ing. M. DRAGANESCU ; prof. dr. ing. M. HANGANUȚ ; prof. dr. doc. șt. term. ing. G. HOHTOPAN : ing. I. ILIE8- CU ; ing. V. LEFTER ; prof. dr. ing. C. MOCANU ; prof, cir. ing. A. NICOLAIDE ; ing. A. POPA ; dr. ing. VALERIUS STANC1U, redactor resp adjunct ; dr. ing FLORIN TEODOR TANASESCU, redactor responsabil. Redactor principal: VIORICA ANWSTASF.SCU Tehnoredactor: CORNELIA CRISTESCU , Si. . .­­ ■ ; • . . . ••

Next