Automatica și Electronica, 1989 (Anul 33, nr. 1-4)
1989-03-01 / nr. 1
ELECTROTEHNICA, ELECTRONICA ȘI AUTOMATICA AluI 33 Nr. 1 martie 1989 AUTOMATICA ȘI ELECTRONICA EDITORIAL CUPRINS CU 681 .537.1 MATERIE PROFUNDĂ CONTINUU ȘI DISCRET INFORMAȚIE FENOMENOLOGICĂ ȘI STRUCTURALĂ Drăgănescu, M. : O fizică bazată pe informație : puncte comparative de vedere. E.E.A. — Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 8 Enunțarea unei fizici bazate pe informație de către Л. Л .Wheeler în cadrul unui model al lumii in circuit Închis autoconsistent, dar care generează paradoxuri este comparată cu enunțarea unei fizici structural-fenomenologice bazate pe informație, în cadrul unui model in inel : materie profundăunivers-materie profundă, inel-autoconsistent din punct de vedere material și informațional. Problema unei asemenea fizici interesează electronica, pentru care semnalul și informația sînt noțiuni fundamentale. CZ 621.315.6.537.1 COMPONENTE ELECTRONICE CERCETARE ȘTIINȚIFICĂ DEZVOLTAREA INDUSTRIEI ELECTRONICE Gălățeanu... . Două decenii de activitate științifică și economică la I.C.C.E. E.E.A. —Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 14 Lucrarea face bilanțul realizărilor CCSIT— CE, la Împlinirea a 20 de ani de activitate, evidențiind contribuțiile cercetării științifice din domeniul componentelor electronice la : i) dezvoltările de noi capacități de producție, (ii) asigurarea necesarului intern de componente și (iii) progresul științific în domeniul dispozitivelor semiconductoare. Sînt prefigurate direcțiile de dezvoltare a microelectronicii românești pentru etapa următoare, a „electronizării tuturor domeniilor vieții economice și sociale”, sarcină a Programului partidului de dezvoltare multilaterală a României, fabricație a structurii, precum și performanțele electrice care au rezultat în condițiile unei rezoluții de 3 im pentru o grosime a canalului de injecție de 11 p.m. Au fost obținute tranzistoare cu o capabilitate curent/tensiune Înscrisă la limitele 200 mA/15o V, cu amplificare de bandă largă până la 200 MHz. CZ 621.362 .621.38 TERMODINAMICA PROCESELOR IREVERSIBILE CELULA SOLARĂ PRODUCȚIE DE ENTROPIE Căldăraru, F. ș.a. . O nouă aplicație a termodinamicii proceselor ireversibile : determinarea punctului de putere maximă al celulei solare cu joncțiune P. E.E.A . — Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 24 Prezenta lucrare aplică ecuațiile fenomenologice ale termodinamicii proceselor ireversibile celulei solare cu joncțiune p-n. Se calculează producția de entropie a sistemului termodinamic considerat. Punctul de putere maximă se determină minimizind producția de entropie în raport cu valoarea potențialului pe frontieră. Mihăilă, M. : Surse neradiative de zgomot „flicker” In tranzistorul bipolar. E.E.A. —Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 20 O serie de contradicții existente Intre teorie și experiment în domeniul zgomotului „flicker” (1/f) al tranzistorului polar sunt Înlăturate prin considerarea proceselor de recombinare neradiativă In siliciu. CZ 538.3.621.315 TRANZISTOARE CU INDUCȚIE STATICĂ FACTOR DE BLOCARE STATIC CANAL INTRINSECПиT. Л. ș.a. : Tranzistor cu inducție statică in tehnologie planară. E.E.A. — Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 22 în scopul verificării concepției proprii privind funcționarea și proiectarea tranzistorului cu inducție statică. In lucrare se prezintă date constructive și aspecte ale tehnologiei de CZ 669.7.621.385 SILICIURA METALICĂ STĂRI DE INTERFAȚĂ STRAT DE TRANZIȚIE Breieanu, Gh. ș.a. . Influența interfeței asupra caracteristicilor electrice la diodele Schottky, realizate cu siliciuri. E.E.A. —Automatica și electronica 33, nr. 1, mart 1989, p. 27 Se prezintă un nou model pentru contactul Schottky care ține cont de : (a) — stratul de tranziție cu proprietăți ce evoluează gradual de la cele ale metalului la ale semiconductorului și (b) — stările de interfață care se presupun activate de temperatură. Pentru validarea modelului se folosesc date experimentale măsurate pe diode CrSij/Sin și respectiv Au/GaAs-n.